LED照明作為節能環保戰略性新興產業，受到國家和各級地方政府的高度重視。隨著技術的進步，LED照明產業必將成為未來電子信息產業新的增長點。那么“十二五”期間應從哪些方面入手，強化自主創新，發展我國LED照明產業？通過多方調查，建議應從以下三個方面給予重點支持：

    第一、完善和發展硅襯底LED技術；     

    第二、支持核心裝備MOCVD國產化；     

    第三、進一步推進大功率白光LED技術進步。     

      未來5年，只有下大力氣支持擁有自主知識產權的LED技術發展，同時突破上游核心裝備和材料瓶頸，推動大功率白光LED的應用，才能掌握發展主動權，也才能闖出一條區別于發達國家的具有鮮明國際特色的LED照明技術發展之路，形成我國自成體系的具有國際競爭力的LED照明產業，為我國節能減排作出貢獻。     

      按照LED上游材料制備所用的襯底劃分，目前已實現產業化的有三種技術路線，即藍寶石襯底半導體照明、碳化硅襯底半導體照明和硅襯底半導體照明。其中前兩條技術路線的核心專利主要掌握在日亞、豐田合成、科銳、歐司朗、飛利浦等日美歐幾大巨頭企業手中，我國企業所申請的專利主要集中于外圍，保護范圍小。由于沒有核心專利，產品銷售至國外市場受到專利限制。而硅襯底LED技術是我國高科技領域為數不多的擁有自主知識產權的原創技術，南昌大學突破了硅襯底LED數十項關鍵技術，研發成功硅襯底LED材料與芯片，并已成功實現量產。     

      目前國際上許多單位或研究機構加大了硅襯底半導體照明技術的研發步伐，上述LED業界幾大巨頭及臺積電、三星等都正在進行硅襯底LED研發。目前，在硅襯底LED技術和產業兩方面，我國領先世界。如果要繼續保持領先水平，“十二五”期間就一定要加大支持力度，讓中國在未來LED照明領域成為引領者而不是追隨者，支持硅襯底LED技術發展不應猶豫和徘徊。目前，硅襯底LED產品已到達了前兩條技術路線產品的中上水平，距一流水平還有一些難題要攻克，因此，國家的支持與投入對中國LED照明產業發展意義重大。     

      此外，對于上游核心裝備MOCVD的研究應重視。國內目前尚無法提供MOCVD生產型設備。面對這樣一個局面，下大力氣支持核心裝備MOCVD國產化已經是刻不容緩。現在啟動MOCVD設備國產化項目，將完全有可能在今后幾代MOCVD設備制造上獲得主動權。