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交流傳動與代直流傳動的交替發展

時間：2009-10-16

來源：中國傳動網

導語：IGBT是80年代中期問世的一種新型電力半導體器件。它兼有MOSFET的快速響應，高輸入阻抗和GTR的低通態壓降，高電流密度的特性。

在電力機車用高壓大容量的電氣傳動領域，自從GTO研制成功以來，就成為該領域的主力器件。隨后，日本日立公司成功研制出用2 500 V/1 000 A 的大功率GTO器件組成的600 kVA GTO變頻器率先用于電力機車上。國外利用4 500 V/2 000A GTO研制成5 600kW PWM控制的時速為200 km的電力機車。 近幾年來，電力半導體器件的發展重點是MOS雙極型器件（IGBT 和IGCT）和場控器件，其中IGBT已日趨成熟，并在中小功率應用中成為主要器件。IGBT是80年代中期問世的一種新型電力半導體器件。它兼有MOSFET的快速響應，高輸入阻抗和GTR的低通態壓降，高電流密度的特性。 電力機車采用IGBT器件有如下優點： 可以進行高頻開關控制 IGBT 開關頻率到20k～50kHz，而GTO一般不過幾百赫茲，頻率提高可使系統實現低噪聲和小型化。通過電壓驅動，控制簡單，驅動功率小。由于IGBT 是M O S 與雙極型復合器件。它具有MOSFET 高輸入阻抗特性，可以通過電壓驅動。而GTO的關斷門極電流可達導通電流的20%～50%。它的驅動電路需要專門設計。IGBT易于并聯，可做成模塊化的IPM，以簡化裝置結構。為一種趨勢。
編輯：Ally
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