將芯片微型化的極限推至1.4納米
14ACMOS是由歐盟資助的下一個半導體技術節點的新開發項目，預期將能夠生產尺寸低至14埃(1.4納米)的芯片結構。Physik Instrumente (PI)公司通過研發精度超過百萬分之一毫米的超高精度納米定位系統，參與了此項研究計劃。
用于晶圓精密定位的壓電陶瓷平臺
當前，使用3nm技術制造的高端微芯片標志著技術的最前沿。2nm技術節點的生產技術預計最早將于明年推出，而1.4nm(即14埃)技術預期將于2027年問世。這項耗資9500萬歐元、名為14ACMOS的研究項目得到了歐盟和“芯片聯合企業”(Chips JU)的共同支持。項目集結了來自六個國家的二十五個合作伙伴， 匯集了歐洲半導體行業領軍供應商的技術訣竅和開發專業知識，由ASML公司負責協調。
本項目按照協議編號101096772獲得歐盟的共同資助，并獲得芯片聯合企業及其成員的支持。
作為半導體行業的系統合作伙伴，PI公司憑借數十年的行業經驗，其定位系統在全球半導體生產的各個環節中占據重要地位。PI 致力于為客戶提供納米定位解決方案，其產品在光刻、質量控制和計量等領域得到了廣泛應用。在14ACMOS項目中，PI公司負責開發的定位系統必須能在真空環境下準確且高度動態地運行，以確保項目具有可行性。
埃(angstrom)是原子間距離的常用度量單位。一埃等于十萬分之一毫米或0.1納米(nm)。舉例來說，人類頭發的粗細約為80,000納米。
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