傳臺積電擬投資AI芯片廠商FuriosaAI

時間:2025-03-03

來源:電子技術應用

導語:2月27日消息,據(jù)韓國中央日報報導,晶圓代工龍頭大廠臺積電正在計劃投資韓國人工智能芯片設計新創(chuàng)公司FuriosaAI。

  2月27日消息,據(jù)韓國中央日報報導,晶圓代工龍頭大廠臺積電正在計劃投資韓國人工智能芯片設計新創(chuàng)公司FuriosaAI。

  FuriosaAI公司也于2月27日回應稱,與臺積電投資談判自2024年第四季開始,也是FuriosaAI此次融資的一部分,是與Meta達成最新合并協(xié)議的獨立交易。FuriosaAI與臺積電旗下投資部門臺積電全球(TSMC Global)正在討論投資規(guī)模和條件,但尚未定案。

  資料顯示,F(xiàn)uriosaAI 是由前AMD工程師June Paik于2017年創(chuàng)立的一家公司,主要從事人工智能推理芯片的研發(fā),被視為韓國解決AI芯片設計能力不足的重要力量。

  2021年,F(xiàn)uriosaAI 推出首款AI芯片是Warboy,基于三星14nm制程生產(chǎn),主要針對 CNN 模型, 功耗為 60W,該芯片現(xiàn)在小批量部署在屬于韓國互聯(lián)網(wǎng)公司 Kakao 的數(shù)據(jù)中心。

  2024年8月,F(xiàn)uriosaAI 推出了第二款AI芯片RNGD ,該芯片基于臺積電5nm制程生產(chǎn),面積為640 mm2 ,擁有256MB片上內(nèi)存,集成了48 GB HBM3, 可提供512 TFLOPS FP8 性能,并支持 BF16、FP8、INT8 和 INT4 數(shù)據(jù)格式。RNGD 集成在適用于約 8-100 億個參數(shù)模型的 PCIe 卡上,可以連接 8 個卡以推理高達 1000 億參數(shù)的模型。

  報導引用市場人士說法,臺積電為FuriosaAI生產(chǎn)RNGD芯片樣品時,就意識到該芯片的先進性。RNGD 性能與英偉達L40S相似,但耗電量僅150-200W,遠低于英偉達L40S的350W,頗具競爭力。

  FuriosaAI此前已從Naver和韓國投資公司DSC Investment等籌集了1.15億美元,但卻難吸引足夠資本,以推動量產(chǎn)下代RNGD芯片,其2023年營業(yè)虧損達600億韓元(約4,160萬美元)。

  由于韓國經(jīng)濟復蘇緩慢,F(xiàn)uriosaAI難以從韓國獲得足夠的投資,因此準備采取B計劃,即被大公司收購。隨后,傳聞出消息稱,美國科技大廠Meta計劃收購FuriosaAI。報導稱,該收購最快可能本月完成。

  FuriosaAI 技術銷售總監(jiān)Jung Yung-bum最近在韓國國會圓桌討論會表示,“令人遺憾的是,韓國國內(nèi)投資未達希望規(guī)模,但這也不是第一次有大公司想收購我們。”


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