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消息稱三星電子推動西安工廠閃存工藝進一步升級：年內建成 V9 NAND 產線

時間：2025-02-13

來源：IT之家

導語：2 月 13 日消息，韓媒 SEDaily 昨日報道稱，三星中國西安 NAND 閃存工廠在將制程從第六代 V-NAND（IT之家注：136 層）轉換至第八代（238 層）的基礎上，還計劃在年內建設第九代（286 層）產線。

　　報道宣稱，三星西安 NAND 廠生產 V9 NAND 所需的新設備將于今年上半年導入，目標是到年底建成晶圓吞吐量達每月 2000~5000 片的產線。

　　三星電子在去年先后宣布其基于第九代 V-NAND 技術的 TLC 和 QLC 顆粒量產，目前相關產品正在其韓國平澤 P4 工廠制造。而三星下代堆疊達 4XX 層的 V10 NAND 預計將于 2 月 19 日在 ISSCC 2025 上對外公布。

　　韓媒認為，三星正通過制程升級轉換來提升高性能、高容量、高盈利能力的“三高”先進節點 NAND 在其整體產能中的占比，應對目前情況不佳的閃存市況;同時工藝變動帶來的自然減產也能加速供需平衡的到來。

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