近日，英國《金融時報》報道，盡管美國的《通脹削減法》和《芯片與科學(xué)法》提供了超過4000億美元的稅收減免、貸款和補貼，以促進美國國內(nèi)清潔能源技術(shù)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，但是美國制造業(yè)復(fù)興計劃因投資者按下暫停鍵而推遲。

　　據(jù)悉，與上述法案相關(guān)的過億美元大項目共114個，總投資2279億美元，但其中總計投資約840億美元的項目進度滯后兩個月至數(shù)年，甚至無限期停擺，其中不乏半導(dǎo)體項目。相關(guān)企業(yè)表示，市場狀況惡化、需求放緩，以及本土政策缺乏確定性，導(dǎo)致廠商改變了投資計劃。

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　　臺積電亞利桑那州工廠推遲投產(chǎn)

　　8月13日，臺積電公布多項董事會決議，包括核準近300億美元資本預(yù)算。其中，臺積電核準不超過75億美元額度，增資百分之百持股子公司TSMC Arizona，即臺積電亞利桑那子公司。

　　按照規(guī)劃，臺積電未來幾年將在美國亞利桑那州建設(shè)3座工廠，總計投資達650億美元。不過，《紐約時報》最新消息顯示，臺積電宣布建廠以來四年時間過去，臺積電亞利桑那州工廠尚未生產(chǎn)出一顆芯片。業(yè)界分析，文化差異，勞動力資源面臨與英特爾的競爭，兩大因素使得臺積電亞利桑那州工廠面臨挑戰(zhàn)，并推遲投產(chǎn)。

　　2020年5月臺積電宣布在亞利桑那州建設(shè)晶圓廠時，計劃2021年開始建設(shè)，目標量產(chǎn)時間是2024年。第二座晶圓廠則是在2020年12月份宣布，原定計劃于2026年量產(chǎn)。

　　今年5月臺積電官網(wǎng)顯示，亞利桑那州首座晶圓廠延期至2025年上半年投產(chǎn)，第二座晶圓廠也將其延期至2028年量產(chǎn)。

　　至于第三座晶圓廠，臺積電尚未披露動工的時間，官方表示計劃在本世紀30年代末開始投產(chǎn)。

　　按照臺積電規(guī)劃，亞利桑那州第一座工廠將采用4nm制程技術(shù)，第二座工廠將采用2nm技術(shù)，第三座工廠則將采用2nm或更先進制程工藝。

　　02

　　英特爾俄亥俄州工廠延遲建設(shè)

　　美國本土半導(dǎo)體廠商英特爾計劃未來五年在美國投入1000億美元，在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州以及俄勒岡州投資新建芯片工廠以及擴大現(xiàn)有產(chǎn)能，創(chuàng)造1萬個制造業(yè)工作崗位和2萬個建筑業(yè)崗位。

　　2月外媒報道，由于市場低迷以及美國補貼發(fā)放延遲，英特爾推遲了俄亥俄州200億美元規(guī)模的芯片項目。英特爾將在俄亥俄州建設(shè)兩家新的尖端晶圓廠，計劃2025年開始芯片制造，經(jīng)過調(diào)整，英特爾俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩座工廠將推遲至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。

　　隨著芯片制程不斷向3nm、2nm邁進，晶圓廠的投資金額也水漲船高，半導(dǎo)體廠商面臨資金緊張的壓力。這一背景下，英特爾不但推遲了美國俄亥俄州工廠建設(shè)，而且對歐洲的工廠做出了延期調(diào)整。

　　其中，英特爾在德國馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠原本計劃在2023年下半年開工，但是由于歐盟補貼的推遲確認、建廠地區(qū)需要移除黑土，英特爾已經(jīng)將開工時間將推遲到2025年5月。此外，英特爾還暫停了對法國和意大利的投資計劃。

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　　三星泰勒晶圓廠延期

　　三星計劃在美國得克薩斯州建設(shè)包括兩座先進邏輯代工廠和一座先進封裝工廠在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，美國將提供至多64億美元補貼。

　　其中，三星位于美國得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠已于2022年動工，原定于2024年投產(chǎn)，可提供4nm制程生產(chǎn)能力。不過，今年5月媒體報道三星已將該座晶圓廠的量產(chǎn)時間從2024年底推遲到了2026年，原因可能與晶圓代工市場增勢放緩以及美國補貼發(fā)放進度緩慢有關(guān)。

　　另據(jù)媒體報道，隨著晶圓廠延期建設(shè)，三星可能將上述工廠先進制程技術(shù)從4nm升級至2nm，以便在先進制程領(lǐng)域，與臺積電、英特爾、Rapidus等廠商進行競爭。