近期，行業(yè)消息顯示，為了應對人工智能(AI)熱潮帶動存儲芯片需求提升，三星電子及美光均擴產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)能。三星方面，決定最快將于2024年第三季重啟建設新平澤工廠(P5)基礎建設。美光則正在美國愛達荷州博伊西的總部建設HBM測試產(chǎn)線與量產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，以滿足人工智能熱潮帶來的更多需求。

　　三星重啟新平澤工廠(P5)

　　外媒消息顯示，三星電子決定重啟新平澤工廠(P5)基礎建設，預計最快將于2024第三季重啟建設，完工時間推估為2027年4月，不過實際投產(chǎn)時間可能更早。

　　此前報道顯示，該廠于1月底停工，三星彼時表示“這是協(xié)調(diào)進度的臨時措施”，“投資尚未到位”。三星P5廠此番恢復建設的決定，行業(yè)多方解讀，更多認為是為了應對人工智能(AI)熱潮帶動存儲芯片需求提升，公司進一步擴大產(chǎn)能。

　　據(jù)悉，三星P5工廠是一座擁有8個潔凈室的大型晶圓廠，而 P1 至 P4 則只有4個潔凈室。這使得三星電子滿足市場需求的大規(guī)模生產(chǎn)能力成為可能。但是目前，關于P5的具體用途還尚未有官方消息披露。

　　據(jù)韓媒報道，業(yè)界消息稱，三星電子于5月30日召開了董事會內(nèi)部管理委員會會議，提交并通過了有關P5基礎建設的議程。管理委員會由首席執(zhí)行官兼DX部門負責人Jong-hee Han擔任主席，成員包括MX業(yè)務部門負責人Noh Tae-moon、管理支持總監(jiān)Park Hak-gyu和存儲業(yè)務部門負責人Lee Jeong-bae。

　　三星公司擔任副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術主管Hwang Sang-joong 今年三月曾表示，預計今年HBM產(chǎn)量將是去年的2.9倍。同時，該公司公布了HBM路線圖，預計2026年HBM出貨量將是2023年產(chǎn)量的13.8倍，到2028年，HBM年產(chǎn)量將進一步增至2023年水平的23.1倍。

　　美光在美建設HBM測試產(chǎn)線與量產(chǎn)線

　　6月19日，多家媒體消息顯示，美光正在美國愛達荷州博伊西的總部建設HBM測試產(chǎn)線與量產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，以滿足人工智能熱潮帶來的更多需求。據(jù)悉，美光博伊西晶圓廠將于2025年上線投運，2026年啟動DRAM生產(chǎn)。

　　美光此前宣布，計劃在一年后將其高帶寬內(nèi)存 (HBM) 市場份額從目前的“中個位數(shù)”提高到20%左右。截止目前，美光已在多地擴建存儲產(chǎn)能。

　　4月末，美光科技正式在其官網(wǎng)宣布，獲得美國《芯片與科學法案》61億美元政府補助。這些撥款以及額外的州和地方激勵措施將支持美光在愛達荷州建設一個領先的DRAM存儲器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設兩座先進DRAM存儲器制造工廠。

　　位于愛達荷州的工廠已于2023年10月開工。美光表示，該廠預計將于 2025年上線并投入運營，2026年正式開始DRAM的生產(chǎn)，DRAM產(chǎn)量也將隨著行業(yè)需求的增長而不斷增加。紐約項目則正在進行初步設計、實地研究和包括NEPA在內(nèi)的許可申請。該座晶圓廠的建設預計將于2025年開始，并于2028年投產(chǎn)并貢獻產(chǎn)量，并根據(jù)未來十年的市場需求而增加。新聞稿表示，美國政府的補貼將支持美光計劃到2030年為美國國內(nèi)領先的存儲器制造，投資約500億美元的總資本支出。

　　今年5月日媒《日刊工業(yè)新聞》消息稱，美光將斥資6000~8000億日元在日本廣島興建一座采用極紫外光(EUV)微影制程的先進DRAM芯片廠，預計2026年初動工、最快2027年底完工。此前，日本已批準多達1920億日元補貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。

　　據(jù)悉，美光在廣島的新工廠位于現(xiàn)有的Fab 15附近，專注于DRAM生產(chǎn)，不包括后端封裝和測試，并將重點放在HBM產(chǎn)品上。

　　馬來西亞建廠方面，2023年10月，美光在馬來西亞檳城的第二座智能(尖端組裝與測試)工廠落成開業(yè)，該工廠初期投入了10億美元。在第一座工廠建成后，美光再加碼10億美元擴建第二座智慧廠房，將工廠建筑面積擴充至150萬平方尺。