美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）宣布，美光的32Gb、34納米NAND閃存和1Gb、50納米DRAM創新技術獲得Semiconductor Insights公司（SI）認可，進入SI第八屆Insight年度大獎的最終評選。 美光的32Gb、34納米NAND芯片由英特爾和美光合作開發，并由雙方組建的NAND閃存合資企業IM Flash Technologies公司制造。這款晶片進入“最具創新性工藝技術”和“最具創新性非揮發性存儲器”兩類獎項的最終評選。SI公司表示，這款32Gb、34納米芯片是業界迄今為止密度最高的單片多層單元（MLC）NAND閃存芯片。有了這塊高密度的小巧芯片，客戶能夠很方便地擴大一系列消費和計算產品的NAND存儲容量。 美光的1Gb、50納米DDR2芯片由美光公司與南亞科技股份有限公司通過DRAM聯合開發項目共同開發，這款晶片進入“最具創新性DRAM”獎項的最終評選。這款1Gb、50納米DDR2芯片面積僅有41mm2，可為客戶提供目前市場上最小的DRAM晶片尺寸。分析了這款產品之后，SI公司表示，該產品所采用的DRAM工藝技術是他們迄今分析過的同類最先進技術。 美光公司內存事業部副總裁Brian Shirley說，“能獲得Semiconductor Insights公司的認可，進入他們的Insight大獎的最終評選，我們感到很榮幸。美光公司用頂尖的NAND和DRAM設計不斷突破技術的極限，我們將與研發合作伙伴共同努力，不斷創新，為客戶提供市場上最先進的存儲器解決方案。” Insight大獎表彰那些依靠技術成就和創新在上年度對半導體行業的發展產生影響的公司。Insight大獎包含四個不同類別的獎項，由業界一流專家組成小組負責評選，成員包括：TechInsights Services公司首席技術官Edward Keyes、Portelligent公司總裁David Carey、TechOnline編輯主任Patrick Mannion以及Semiconductor Insights公司的資深分析師。評審專家將從每一類獎項的獲提名候選者中評選出獲勝者。 Semiconductor Insights公司副總裁兼總經理Emil Alexov說，“今年Insight大獎的最后一輪候選產品達到了我們行業關鍵的創新里程碑，這顯示了對技術突破不斷施以壓力的重要性，這樣做可以更好地推進行業的發展，同時為他人定下新的努力方向和標準。” Insight大獎表彰企業通過創新設計和技術發展在半導體行業取得的巨大技術進步，他們改變了我們生活的世界。2009年3月31日，在EE Times ACE獎和Insight獎頒獎禮上將向這些企業和他們的創新技術頒獎。此次頒獎禮是TechInsight在硅谷舉行的嵌入式系統大會（Embedded Systems Conference）的活動之一，大會堪稱北美最大規模的電子系統設計盛事。