導語:資料顯示,科友半導體長期致力于碳化硅長晶裝備研制和工藝技術研發,有豐富的實踐經驗,八英寸電阻爐已在高端制造領域得到高度認可并被廣泛應用。俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制有著豐富的研究經驗,在相關領域發表高水平文章及期刊百余篇。
2024年3月27日,科友半導體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰略合作協議,開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項目合作。
資料顯示,科友半導體長期致力于碳化硅長晶裝備研制和工藝技術研發,有豐富的實踐經驗,八英寸電阻爐已在高端制造領域得到高度認可并被廣泛應用。俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制有著豐富的研究經驗,在相關領域發表高水平文章及期刊百余篇。
科友半導體表示,通過與俄羅斯N公司的合作,科友半導體將研發獲得“無微管,低位錯”完美籽晶,應用品質優異的籽晶進行晶體生長,會進一步大幅降低八英寸碳化硅晶體內部的微管、位錯等缺陷密度,從而提高晶體生長的質量和良率,并推動碳化硅長晶爐體及工藝技術的優化與升級。雙方將長期友好合作,發揮各方的技術優勢,共同推進八英寸碳化硅晶體生長良率提升以及晶體缺陷降低。
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