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美國豁免后三星升級西安半導體工廠設備工藝

時間:2023-10-19

來源:21ic電子網

導語:業內消息,近日三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免,其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設備。知情人士透露三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝,并開始大規模擴張。

  消息人士稱,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在 2023 年底交付,并于 2024 年在西安工廠陸續引進可生產第 8 代 NAND 的設備,這也被業界視為克服全球 NAND 需求疲軟導致產能下降的戰略步驟。

  三星(中國)半導體有限公司的工廠與 2012 年落戶西安高新區,2020 年增設了第二期工廠項目,目前已發展成為全球最大的 NAND 制造基地,每月可生產 20 萬片 12 英寸晶圓,這占據了三星 NAND 總產量的 40% 以上。

  據悉,三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元(當前約合 795.2 億人民幣),2017 年開始建造的第二工廠,先后投資了 150 億美元(當前約合 1097.4 億人民幣)。三星位于西安的工廠是唯一的海外存儲器半導體生產基地。

  業內分析人士認為,三星決定升級其西安工廠的原因有兩個。其一主要在全球 NAND 市場環境沒有表現出明顯的復蘇跡象,而在這種情況下三星需要保持其在 NAND 市場的全球領導地位,另一個原因即為美國近日對其通過的無限期豁免政策。

  中美之間的貿易和科技限制引起韓國企業的擔憂。韓國經濟高度依賴半導體領域,全球第一和第二大存儲芯片制造商三星和 SK 海力士都在中國的芯片設施投入數十億巨資,中國也是韓國芯片的大客戶。

  據悉,三星電子大約 40% 的 NAND 閃存芯片在其位于中國西安的工廠生產,SK 海力士大約 40% 的 DRAM 芯片在無錫生產,20% 的 NAND 閃存芯片在大連生產。業內分析機構 TrendForce 的統計數據顯示,截至今年 6 月底上述兩家半導體生產商合計控制著全球近 70% 的 DRAM 市場和 50% 的 NAND 閃存市場。

  疫情后的市場低迷再加上產能嚴重過剩嚴重影響了三星的 NAND 業務,導致庫存水位一直增加也進一步加劇虧損。上半年三星也因此不得不宣布減產,但通過升級最新的第 8 代 NAND 產品不僅可以使三星產品擁有價格優勢,而且最新工藝比起第 6 代晶圓投入減少約 30%,更能平衡市場供應和需求。

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