據外媒Bits & Chips報道，ASML首席技術官Martin van den Brink日前受訪時表示，目前公司正有序推行其路線圖，在EUV之后是High-NA EUV技術。ASML正在準備向客戶交付首臺High-NA EUV光刻機，大概會在明年某個時間點完成。
與現有的EUV光刻機相比，High-NA EUV光刻機將更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因為光源，High-NA使用了相同的光源需要額外0.5兆瓦，ASML還使用水冷銅線為其供電。
據Martin van den Brink介紹，開發High-NA EUV技術的最大挑戰是為EUV光學器件構建計量工具，配備的反射鏡尺寸為此前產品的兩倍，同時需要將其平整度控制在20皮米內。
至于High-NA EUV技術之后的技術方案，Martin van den Brink表示，ASML正在研究降低波長，但其懷疑Hyper-NA將是最后一個NA，可能是接下來半導體光刻技術發展出現問題的地方，其制造和使用成本都高得驚人，且不一定能真正投入生產，當前半導體光刻技術之路或已走到盡頭。
眾所周知，ASML是全球最大的光刻機設備廠商，2021年，ASML曾2次提高生產目標，希望到2025年，其年出貨量能達到約600臺DUV(深紫外光)光刻機以及90臺EUV(極紫外光)光刻機。
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