近日，東芯股份在投資者互動平臺表示，公司19nm先進制程的NANDFlash產品已完成了首輪流片，目前正在產品調試的過程中。
針對3D NAND閃存研發問題，東芯股份表示，公司目前聚焦于中小容量通用型存儲芯片的研發、設計和銷售，暫不涉及3DNAND業務。
車規級芯片方面，東芯股份稱，車規級存儲器產品對產品各項指標都有更高的要求，因此產品認證及導入時間較長，目前相關產品正在積極研發和導入過程中。
此前6月，東芯股份曾強調，SLC NAND是進入NAND Flash的必經之路，在SLC NAND的布局上，公司目前有兩個方向，分別是高可靠性和更新工藝。
在高可靠性方面，由于公司本身就具備開發更高容量NAND的基礎，因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的產品，如車規級的SLC NAND。目前公司也是國內少數幾家有做車規級的SLC NAND能力的企業。
在更新工藝方面，公司不斷更新制程，從38nm、24nm，再到現在正在開發的19nm的工藝。通過更新工藝來為客戶帶來更具性價比、更高容量的產品。
作為Fabless芯片企業，東芯股份擁有獨立自主的知識產權，聚焦中小容量存儲芯片的研發、設計和銷售，是國內少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM等主要存儲芯片完整解決方案的公司。
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