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臺積電正式公布2nm：功耗降低30%

時間：2022-06-20

來源：21ic

導語：在微觀結構上，N2采用納米片電晶體(Nanosheet)，取代FinFET(鰭式場效應晶體管)，外界普遍認為，納米片電晶體就是臺積電版的GAAFET(環繞柵極晶體管)。

       6月17日早間消息，臺積電在今日舉辦的2022技術論壇上，首度推出下一代先進制程N2，也就是2nm。

　　技術指標方面，臺積電披露，N2相較于N3，在相同功耗下，速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%，開啟高效能新紀元。

　　就縱向對比來看，2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心參數。

　　在微觀結構上，N2采用納米片電晶體(Nanosheet)，取代FinFET(鰭式場效應晶體管)，外界普遍認為，納米片電晶體就是臺積電版的GAAFET(環繞柵極晶體管)。

　　臺積電還表示，N2不僅有面向移動處理器的標準工藝，還會有針對高性能運算和小芯片(Chiplet)的整合方案。

　　時間節奏方面，N2將于2025年量產。

　　另外，根據臺積電最新技術路線圖，第一代3nm(N3)定于下半年量產，3nm也會比較長壽，后續還有N3E、N3P和N3X。

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