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3DNAND產能再增,東芝存儲與西數合資的日本晶圓廠開幕

時間:2018-09-20

來源:網絡轉載

導語:東芝存儲公司(ToshibaMemoryCorporation,TMC)與西部數據(WesternDigital),19日共同于日本三重縣四日市的6號晶圓廠(Fab6)舉行開幕儀式。該晶圓廠為3DNANDFlash專用廠區,并設有存儲研發中心(MemoryR&DCenter)。

【中國傳動網 企業動態】 東芝存儲公司(ToshibaMemoryCorporation,TMC)與西部數據(WesternDigital),19日共同于日本三重縣四日市的6號晶圓廠(Fab6)舉行開幕儀式。該晶圓廠為3DNANDFlash專用廠區,并設有存儲研發中心(MemoryR&DCenter)。

東芝存儲于2017年2月開始興建6號晶圓廠,作為生產3DNANDFlash的專用廠區。東芝存儲與WD已針對沉積(deposition)與蝕刻(etching)等關鍵生產制程部署先進制造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產96層3DNANDFlash。

與6號晶圓廠相毗鄰的存儲研發中心已于今年3月開始營運,負責研發并推動3DNANDFlash的發展工作。

東芝存儲社長暨執行長成毛康雄(YasuoNaruke)表示:“我們很高興有這個機會能為新一代的3DNANDFlash開拓更廣闊的市場。6號晶圓廠和存儲研發中心能讓我們在3DNANDFlash市場中維持領先地位,而且我們相信與WesternDigital的合資事業,將協助四日市的工廠繼續生產最先進的存儲。”

WesternDigital執行長SteveMilligan同步指出:“今天很榮幸能與我們的重要合作伙伴東芝存儲一起為6號晶圓廠和存儲研發中心揭開序幕。近20年來我們合作無間,帶動了NANDFlash技術的成長和創新。此外,我們正積極提升96層3DNAND產能,以因應從消費、移動應用到云端數據中心等終端市場的各式商機。6號晶圓廠具備先進技術設備,將進一步提升我們在業界技術領先和成本領導的地位。”CTIMES

 

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