【中國傳動網 市場分析】 功率半導體是指在電子設備中用于電源轉換或者電源管理的半導體。隨著對節能減排的需求迫切，功率半導體的應用領域已從工業控制和4C領域，進入新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場。

數據顯示，2017年全球功率半導體市場中，工業應用市場占比為34%，汽車應用市場占比為23%，消費電子應用占比為20%，無線通訊應用占比為23%。

國內功率器件的應用分布

半導體功率器件在功率半導體中十分重要。目前，國內以揚杰科技、華微電子、士蘭微為代表的功率半導體龍頭企業市場占有率非常低，進口替代的空間巨大。據中商產業研究院，2018年國內半導體功率器件十強企業中，排名第一的為吉林華微科技，2017年營收達16.4億元。揚州揚杰電子科技排名第二，2017年營收為14.7億元。以下為排名：

國內功率器件十強

功率器件市場現狀：歐美日把持，國內仍需努力

縱觀整個功率器件市場，整體態勢是歐美日廠商三足鼎立。其中美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和Vishay等廠商。歐洲擁有Infineon、ST和NXP三家全球半導體大廠。日本主要有Toshiba、Renesas、Rohm、Matsushita、FujiElectric等。中國臺灣擁有富鼎先進、茂達、安茂、致新和沛亨等一批廠商。而我國則有上述代表。

功率半導體器件細分領域多，行業整體增速較緩，大廠傾向于業內并購，通過布局新領域實現增長。2016年英飛凌科技成為全球功率半導體的主要供應商，其在2015年初收購美國國際整流器公司（InternationalRectifier）后，英飛凌超過三菱電機成為領先的功率模塊制造商。德州儀器在2015年被英飛凌超越后，于2016年退居全球第二。安森美完成對飛兆半導體（Fairchild）的收購后，市場排名升至第三位，其在功率分立器件市場份額躍升10%。2016年建廣資本以27.5億美元并購了NXP的標準器件部門，中國企業首次進入行業全球前十強。

雖然國內功率器件近幾年獲得了不少的突破，且國內功率半導體器件市場規模大，但我們應該看到國內產業仍處于起步階段。

據賽迪顧問，2016年，中國功率半導體市場規模達到了1496億元，占據了全球40%以上的市場。然而供應鏈仍然被國外廠商所壟斷，國內企業相對而言規模較小、技術落后、品類不全，產業仍然處于起步和加速追趕的階段。國內功率半導體企業排名第一的吉林華微，2016年營收為13.95億元，凈利潤僅為4060萬元。而全球行業老大英飛凌2016集團營收高達64.73億歐元，中國龍頭企業和行業龍頭的差距在30倍以上。

據Yole，功率IC市場競爭格局成熟，供應鏈較為完善。美國在功率IC領域具有絕對領先優勢，歐洲在功率IC和功率分立器件方面也都具有較強實力，日本在功率IC芯片方面，雖然廠商數量眾多，但整體市場份額不高。功率IC下游核心產品—電源IC，Dialog、Qualcomm以及Maxim三家主要供應商以遙遙領先的市占率主宰了智能手機市場。2016年建廣資本27.5億美元收購NXP標準部門完成交割，力圖填補國內汽車、工業IC領域空白。

細分到各個領域，在功率二極管方面，國內廠商具競爭力，進口替代空間大。

這個領域，國際最大廠商是Vishay，占據11.71%市場份額，而后第二至第七大廠商市場份額為5%-8%，與第一相差無幾，再在其后廠商市場份額不足5%，市場相對分散。其中國內廠商揚杰科技市場份額為2.01%。功率二極管技術成熟、市場進入門檻低，注重的是生產過程的控制和成本的控制。國內廠商由于生產工藝控制精湛、人力成本低具有一定競爭力，國產替代空間較大。根據工信部發布的中國電子信息產業統計年鑒，自2014年后，中國二極管及類似半導體器件出口數量持續超過進口額。

在硅基MOSFET方面，國內廠商潛力大，進口替代正當時。國內廠商主要集中在低壓MOSFET領域，中高壓MOSFET主要被國外廠商占據。據IHS，國內功率MOSFET市場主要廠商是英飛凌，2016年市場份額達28.5%，與位于第二的安森美半導體占據了國內將近一半市場。國內廠商只有士蘭微和吉林華微上榜，分別占據了1.9%和1.1%的市場份額，進口替代的空間巨大。

2016年，建廣資本以27.5億元收購恩智浦半導體（NXPSemiconductors）標準產品業務部門，成立一家名為Nexperia的獨立公司。

Nexperia承接了NXP中MOSFET所有業務，一躍成為MOSFET領域全球第十、國內第八（市場份額3.8%）的廠商。NXP是工業與汽車半導體領域大廠商，相比之下，工業和汽車半導體一直是中國半導體企業的弱項，由于這個領域的產品門類多、單量小、售價高、迭代慢，國內企業很難進入。Nexperia的成立彌補了國內廠商在這一領域的短板。此外，2016年建廣資本還與NXP成立合資公司瑞能半導體，產品主要為二極管、雙極性晶體管、可控硅整流器，以及收購NXPRFPower部門，成立安譜隆公司致力于射頻技術領域的創新與研發。

至于硅基IGBT，海外廠商優勢明顯，CR4高達70.8%。

據IHS，2016年，英飛凌、三菱電機、富士電機(FujiElectric)、德國賽米控(SEMIKRON)四大海外供應商占了全球IGBT市場的70.8%。盡管中國功率半導體市場占世界市場的40%以上，但在IGBT主流器件上，90%主要依賴進口，目前僅在大功率軌道交通領域實現國產化，2016年國廠嘉興斯達、中國中車市占率分別為1.6/0.6%。

值得一提的是中國中車，他們立足高鐵用IGBT，快速推進。在合并前，北車在IGBT模塊封裝上與ABB技術合作，建設高功率模塊生產線，成為國內首家能夠封裝6500V大功率模塊及解決方案的提供商。南車則在海外收購Dynex公司建立IGBT芯片設計中心，總投資14億元建設國內首條八英寸IGBT芯片生產線，除芯片外，還有9條滿足不同行業的IGBT模塊生產線，預計完全投產后，中車將年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊。

來到第三代半導體方面，依然是海外公司技術領先，國內起步時間晚，尚在追趕。

SiC關鍵技術由海外公司壟斷，從產業鏈來看，上游部分，CREE公司獨占SiC晶元制造市場份額60%以上；中游部分，英飛凌、CREE、意法半導體和安森美等功率半導體領域國際排名前十的企業合計已在SiC功率器件市場占據50%以上份額。相比于美國CREE公司于2003年推出SiC產品，國內公司起步晚，技術相對落后。直到2015年初，泰科天潤才首次實現了碳化硅肖特基二極管的量產，目前國內SiC產業規模于國外相比尚有較大差距。

由此可見，對于中國功率器件廠商來說，依然任重而道遠！