日前，不斷傳出前臺積電研發處長梁孟松將加盟中國半導體代工大廠中芯國際的消息，但是一直遭到中芯國際方面的否認。而16日該項消息終于獲得證實，中芯國際董事會正式宣布，梁孟松將加盟待任該公司的聯合首席CEO，帶領中芯國際的研發部門。其中，令人關注的是，在梁孟松轉任中芯國際的聯合首席CEO之后，是不是能夠帶領中芯國際在制程發展上有所突破，將會是該件人事案上最受關切的焦點。

現年65歲，且曾經擔任臺積電研發處長的梁孟松，有中國臺灣成功大學電機工程學士及碩士學位，另外也取得美國加州大學伯克萊分校電機工程及電腦科學系的博士學位。之后，在AMD半導體負責存儲器的工作，1992年返臺加入臺積電。由于在臺積電期間，不但協助取得了近500項的專利，還在2003年在與藍色巨人IBM的銅制程研發上取得優勢，進而一戰成名，之后擔任臺積電的資深研發處長職務。

由于梁孟松在半導體業界有超過33年經歷，于2009年離開臺積電之后，隨即被競爭對手韓國三星旗下的成均館大學網羅任教。之后，臺積電認為，梁孟松的到職之后應已陸續泄漏臺積電的營業秘密給三星。因此，在2012年對梁孟松提起訴訟，禁止梁孟松于2015年底前為繼續為韓國三星工作，而且臺積電還取得最后的勝訴。

根據業界人士指出，在梁孟松當年投效韓國三星之際，臺積電與三星都正在各自研發65納米的技術。只是，當時源自于IBM技術的三星，在制程上仍與臺積電有所差異，使得臺積電仍占有領先優勢。只是，之后三星所陸續問世的新一代制程技術，包括45納米、32納米、28納米等制程技術，不但其中兩家公司相類似的地方越來越多，且三星的追趕速度也越來越快。這讓人不得不懷疑，的確在梁孟松于三星服務的三年半時間，給予了不少的“指導”。

而隨著梁孟松在2016年第3季離開三星，業界當時就盛傳，中國政府為積極發展本土半導體產業，而且積極挖角中國臺灣地區人才的策略下，本身帶有關鍵技術專利的梁孟松就一直是被鎖定的目標。事實上，中國近年來大動作發展半導體產業，除瘋狂蓋12寸晶圓廠、購并國際廠商、并且陸續向中國臺灣地區廠商招手，企圖入股投資之外，也開始挖角重量級的高手加入中國半導體業。除了最新加入中芯國際擔任首席CEO的梁孟松之外，2016年底還延攬了臺積電前營運長蔣尚義為獨立董事，可見其挖角高端人才的企圖明顯。

據了解，中芯國際大動作挖角高端人才的原因，是因為目前中芯國際在先進制程開發嚴重落后競爭對手臺積電、三星、格羅方德(GlobalFoundries)等晶圓代工大廠。雖然，日前宣稱已研發出28納米的HKMG制程，但針對下一世代的14納米制程若自行研發，最快恐要等到2020年才問能世。這相對于臺積電、三星等競爭對手不但已經進入10納米制程，2018年還將開始7納米制程的量產，其速度確實落后了至少兩個世代以上。

另外，根據市場研究單位ICInsights在日前的報告指出，以目前中芯國際最先進的28納米制程來看，2017年預估只能占整體營收的7%，相較于龍頭臺積電28納米制程市占率超過6成，另外還占臺積電總營收超過一半以上的比例，相較之下數字也是相差甚遠。因此，希望借由具備技術背景的梁孟松給予指點，以提升整體發展的想法不言可喻。

不過，日前臺積電董事長張忠謀表示，因為中國臺灣地區、韓國、美國在半導體產業已經累積了許多經驗，因此“學習曲線”已經下來，這是中國大陸砸大錢也難以獲得的經驗。因此，透過挖角梁孟松這樣的技術人才前往任職，是不是真能縮短中芯國際的“學習曲線”，似乎還有待時間的證明。

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