中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務，這一點當然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時才能實現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個跡，日本的幾位半導體行業(yè)知情人士在接受采訪時指出。

中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財力，而這筆由地方政府主導的經(jīng)濟資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現(xiàn)實。

不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權來源與工程技術人才。

中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造3DNAND閃存記憶體。整個建設計劃預計耗資240億美元，資金來源則包括集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及中國發(fā)展投資基金等多個財團，XMC方面指出。

一位日本半導體設備專家表示，這筆交付XMC的投資“極其巨大”。他同時語帶諷刺地指出：“這意味著項目必須得取得成功。”不過在被問及XMC將使用哪家企業(yè)的3DNAND閃存技術時，他的回答是“他們說使用的是自有IP。不過我對此并不了解。”

三星對東芝

IHS技術公司半導體價值鏈主管AkiraMinamikawa也表達了類似的謹慎態(tài)度。說起XMC的3DNAND閃存制造起步工作，他認為“非常艱難”。以三星為例，他指出盡管三星公司在其3DNAND閃存項目當中投入了大量資源，但仍然耗費相當長的時間才構建完成。

東芝公司據(jù)稱同樣飽受3DNAND閃存開發(fā)難題的困擾。Minamikawa發(fā)現(xiàn)東芝公司的3DNAND閃存記憶體進程較三星方面“至少延后了一年時間”。“誠然，東芝公司表示其3DNAND已經(jīng)開始發(fā)布樣品。但一般來講，樣品制造與批量生產(chǎn)之間仍然有著很大距離。”

可以肯定的是，XMC也將面臨著同樣的挑戰(zhàn)——事實證明，3DNAND閃存技術的發(fā)展成熟以及制作當中所必需的精密工藝技術都需要長時間打磨方可實現(xiàn)。“當然，整個過程至少需要三到四年，”Minmikawa表示，“甚至更久。”

而更令各位專家費解的是，XMC是否真的擁有自己的3DNAND閃存知識產(chǎn)權。

一種可能的解釋來自Spansion公司一年前發(fā)布的聲明（此后該公司被Cypress所收購）。Spansion方面表示，其將與XMC合作開發(fā)3DNAND技術。

不過問題在于，Spansion的閃存記憶體開發(fā)工作并非主要指出NAND，而是NOR閃存，TakashiYunokami在采訪中解釋稱。

Yunogami是一位工程師出身的顧問，并出版過多部關于日本半導體行業(yè)的論著。在日立公司效力期間，他專門負責干蝕刻技術的開發(fā)。

總而言之，沒人見到過Spansion的3DNAND親戚，Yunogami解釋道。這意味著XMC與Spansion——或者說現(xiàn)在的Cypress——的合作成果始終難以捉摸。

迎頭趕上不過在接受媒體采訪時，武漢XMC公司給出了完全不同的3DNAND閃存技術發(fā)展綱要。XMC公司的一位發(fā)言人通過電子郵件對采訪做出了答復：

XMC公司于2014年開始推進3DNAND項目。在此之后，XMC與Spansion（現(xiàn)已被Cypress收購）則共同簽訂了面向3DNAND閃存研發(fā)工作的合作協(xié)議及交叉授權許可，意味著雙方將共享相關知識產(chǎn)權。

XMC方面宣稱，該公司于2015年5月“在3DNAND項目上取得了重大進展”，當時該公司的第一款測試芯片“通過電氣驗證”。這位發(fā)言人同時補充稱，“從那時開始，XMC不斷在記憶體單元性能與可靠性優(yōu)化方面取得改進。”

XMC公司深諳3DNAND市場上的競爭格局。在去年11月召開的集成電路行業(yè)促進大會上，XMC公司首席運營官洪沨在演講中指出，NAND閃存技術“為XMC提供了千載難逢的發(fā)展機會。”他同時補充稱，“三星主導3DNAND開發(fā)市場不過兩年左右。立足于當下，我們?nèi)匀缓苡锌赡苡^趕上并躋身一線集團。”

另外還有與Spansion的合作關系。盡管已經(jīng)被Cypress公司所收購，但XMC堅信“雙方的合作關系并未受到影響。”

回顧Spansion與XMC在去年2月發(fā)布的聲明，時任Spansion公司戰(zhàn)略聯(lián)盟高級副總裁的AliPourkeramati指出：

3DNAND將徹底轉變未來數(shù)據(jù)的存儲效率。我們擁有領先的MirrorBit技術，這是我們過去十年以來的努力結晶，而其將成為3DNAND創(chuàng)新工作中的核心優(yōu)勢并帶來無可匹敵的高性能數(shù)據(jù)存儲方案。

IHS公司的Minamikawa表示，日本各半導體企業(yè)都曾經(jīng)沖擊過NAND這一技術難題，不過具體時間點大概是在十年前。部分日本工程師對于NAND非常精通——然而，他們所開發(fā)了的NAND技術與如今的3DNAND閃存可謂截然不同，他坦言。

這就帶來了新的問題，XMC能否吸引到充足且經(jīng)驗豐富的工程師，以肩負起中國發(fā)展自有3DNAND的野心？這恐怕正是瓶頸所在，Minamikawa表示。

同樣的，中國在制程技術層面同樣缺乏人才儲備，Yunogami立足于客觀評論道，“就個人而言，我認為這會令XMC相當被動。”

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