●該專利針對已故的美國技術創新獎得主PraveenChaudhari博士發明的技術頒發，涉及的技術可應用于薄膜太陽能電池、LED、薄膜晶體管(TFT)、場效應晶體管(FET)、太陽能逆變器和納米設備等多個電子行業
Solar-TecticLLC（簡稱ST）今天宣布，美國專利商標局(USPTO)已向公司的多項技術頒發了一項主要專利（50多個專利申請范圍），其中包括在普通玻璃等廉價襯底上生長單晶體、高度織構或大粒徑半導體薄膜的技術。這些技術是由已故的1995年美國國家技術獎得主PraveenChaudhari博士發明，可應用于太陽能、顯示器和LED等多個行業。
美國專利(12/774,465)“在器件上生長異質外延單晶體或大粒徑半導體薄膜的方法”(MethodsofGrowingHeteroepitaxialSingleCrystalorLargeGrainedSemiconductorFilmsandDevicesThereon)揭示了改良的氣液固薄膜生長技術，該技術首次實現了采用硅、鍺和氮化鎵等各種材料在廉價襯底上生長的高品質半導體薄膜的低溫沉積。
具有成本效益、類似納米線的薄膜生長工藝，其中包括低共熔合金，非常適合大規模工業應用，可采用當前用于多個行業的電子束和化學氣相沉積等普通沉積工藝實現。
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