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安森美半導體與Transphorm合作提供領先業界能效的基于氮化鎵(GaN)的電源系統方案

導語:電源系統參考設計將提供給客戶,使他們能夠應用包含GaN晶體管和高性能AC-DC控制器的新方案,以充分利用GaN器件的技術優勢。

2014年9月26日–推動高能效創新的安森美半導體(ONSemiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系,共同開發及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產品和電源系統方案,用于工業、計算機、電信及網絡領域的各種高壓應用。

這策略合作充分發揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產通過授證的公司,并在這先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商,在系統設計具備深厚的專知和技術,提供寬廣的陣容產品,從功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成開關穩壓器到全定制專用集成電路(ASIC)電源管理方案。

GaN在電源應用已證明能提供優于硅基器件的重要性能優勢。安森美半導體和Transphorm合作開發的新世代封裝產品將提供可靠及授證的方案,令工程師實現前所未有的高能效和功率密度水平。

安森美半導體標準產品部執行副總裁兼總經理賀彥彬(BillHall)說:“安森美半導體充分認識到GaN技術可帶給功率電子市場的固有優勢,我們非常高興與這領域公認的領袖合作,此外我們也有自己的GaN開發工作。這項新的重要合作,在策略上結合了我們可觀的電源系統方案實力及Transphorm的GaN專知和技術。我們的合作能夠增強客戶對此新技術的信心,及加速它廣泛的市場采納。”

Transphorm首席執行官(CEO)FumihideEsaka說:“跟像安森美半導體這樣的領先電源半導體公司合作,確認了Transphorm在GaN的領先地位,將為我們客戶提供更寬廣的基于GaN的產品及方案。我們的合作不僅對加快GaN的市場滲透具有重要作用,還對整個電源轉換行業富有意義。”

首批共同開發的基于600VGaN晶體管方案預計將于2014年底前開始提供樣品。這些方案將用于200W至1000W功率范圍的高功率密度應用,用于電信及服務器市場的緊湊型電源。根據合作條款,共同開發的封裝晶體管產品將包括安森美半導體的用于共源共柵(cascoded)開關的低壓MOSFET硅片,及Transphorm的獲得證明的GaN高壓高電子遷移率晶體管(HEMT)。這些器件將在安森美半導體的制造廠聯合封裝、組裝及測試。

電源系統參考設計將提供給客戶,使他們能夠應用包含GaN晶體管和高性能AC-DC控制器的新方案,以充分利用GaN器件的技術優勢。

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