ST HB系列IGBT有效提升能效 安全性和可靠性
時間：2014-04-16
來源：網絡轉載
導語：意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產品低達40%的關機能耗，同時可降低達30%的導通損耗。
HB系列利用意法半導體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工藝，集電極關斷尾電流極低，飽和電壓(Vce(sat))為1.6V(典型值)，從而最大限度降低了開關和導通時的能耗。此外，這項技術具有良好的可控性，參數分布窗口十分緊密，從而可提高設計再用性，簡化系統設計。
意法半導體的HB系列IGBT可提升目標應用的能效，例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機、不間斷電源、功率因數校正器和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環境溫度在-40℃時擊穿電壓至少600V，使其特別適用于高寒地區的太陽能逆變器。175℃的最大工作結溫和寬安全工作區(SOA)提高了產品的可靠性，準許目標應用使用更小的散熱器。
可選參數包括30A到80A(在100℃時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開關電路優化的內置二極管的封裝。
HB系列產品現已量產。
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