AMD宣布與研發伙伴IBM共同合作，運用超紫外線微影技術，針對整個芯片中最關鍵的第一層金屬鏈接進行測試，并成功生產出作業測試芯片，透過全面性的超紫外線微影技術，成功整合至大小為22mm＊33mm的45納米節點測試芯片制程。 據BrunoLaFontaine博士表示，AMD的超紫外線微影技術在未來數年，在半導體制程上的應用具十足的潛力，業界廠商因芯片體積縮小而受惠。雖然在業界可運用超紫外線微影技術量產之前，仍有許多挑戰需要克服，但是AMD已經證明該技術可以成功地與半導體晶圓制程結合，完整產出芯片上的第一層金屬互連層。 IBM結構研究經理DavidMedeiros表示，微影技術如同微處理器一樣重，如何將含有數百萬個電晶體集成芯片的高度復雜設計，移轉到晶圓片上的技術，將是未來的重大挑戰，而晶圓片上的多重層級，是建立一個芯片的必要條件。 DavidMederios進一步指出，隨著芯片工程師持續在芯片上加入嶄新功能，同時增強芯片的效能表現，讓體積愈來愈小的電晶體可在特定的區域中放置更多的電晶體，要如何制造小型電晶體與連接電晶體的金屬線，與用來投射芯片設計在晶圓片上的光波長度有直接關系，超紫外線光刻顯影技術采用13.5奈米的波長，大幅縮短現今的193納米微影技術，持續推動傳統芯片功能與體積間的可調整性。 現時，位于德國德勒斯登的AMD36號廠，首先采用193nm浸潤式微影量產技術，進行芯片測試，再將測試芯片運送至位于紐約州阿爾巴尼的IBM奈米科學與工程學院之研發中心，AMD、IBM與其他合作伙伴運用由ASML、IBM、與CNSE合作建置的ASML超紫外線微影掃描器，于德國制造的電晶體間進行第一層金屬相連物的圖樣模型。 在完成圖樣成型、蝕刻與金屬物沉淀等制程后，AMD對超紫外線微影設備架構進行電子測試，發現電晶體的特征與僅使用193nm浸潤式微影量產技術進行的芯片測試結果相符。這些晶圓片將再透過標準的晶圓制程，增加額外的金屬互連層，進而使大型的記憶數組亦可進行測試排程。 驗證超紫外線顯影技術量產可行性的下一步驟，是將此技術從金屬互聯物層的應用，擴展到所有層級，以證明超紫外線微影技術可制造一個完整的作業微處理器，預期國際半導體技術路線圖將可望于2016年達到22nm半間距節點的標準，因此超紫外線微影技術必須在2016年前達到可量產的標準。