探討了一種多晶硅高溫壓力傳感器的設計方法，采用AlN作硅襯底和多晶硅力敏電阻條之間的電絕緣層，由于無p-n結，力敏電阻無反向漏電，使制作的壓力傳感器特性好。利用多晶硅材料在高溫條件下能夠表現出良好的壓阻特性，考慮其縱橫向壓阻效應的不同，作了理論分析，在此基礎上制作力敏電阻條。利用有限元分析方法，借助MARC軟件，模擬了傳感器承壓彈性膜的應力場分布，確定了多晶硅力敏電阻條的位置和排列方式。并且施加10kPa壓力時，模擬了不同膜厚t與對應的最大應力?11的曲線；模擬了11方向主應力COMP11邊緣中點應力為一特定值時所需壓力PN與膜厚t的關系曲線。