采用SMIC 0.18μm CMOS工藝,設計了一種應用于無線傳感器網絡SoC芯片中射頻收發機模塊的LDO,具有低溫度系數,低靜態電流和高電源電壓抑制比。其電源電壓抑制比大于58dB在1kHz。在-40-+85℃的范圍內,溫度系數為6.87ppm/℃。電源電壓在2.0-3.6V的變化范圍內,LDO能提供1.8V的穩定輸出電壓,100mA的輸出電流。芯片面積為0.168mm2,最大靜態電流為221.9μA。測試結果表明帶隙基準的輸出電壓為0.429V,LDO的輸出電壓是1.850V。