設備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座,自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降,保證測試結果準確可靠。
系統概述
設備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座,自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降,保證測試結果準確可靠。
基礎配置
技術參數 | ENJ2005-A型 | ENJ2005-B型 |
主極電壓 | 10mV-2000V | 10mV-2000V |
主極電流 | 100nA-50A | 100nA-50A |
擴展電流 | 100A、200A、400A、500A | 250A、500A、750A、1000A、1250A |
電壓分辨率 | 1mV | 1mV |
電流分辨率 | 100nA | 10nA(可擴展至10pA) |
測試精度 | 0.5%+2LSB | 0.2%+2LSB |
測試速度 | 0.5mS/參數Parameter | 0.5mS/參數Parameter |
測試范圍
√ | √ | 測試器件 |
√ | √ | 二極管 / DIODE |
√ | √ | 絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT |
√ | √ | 晶體管 / NPN型/PNP型 |
√ | √ | MOS場效應管 / MOS-FET |
√ | √ | J型場效應管 / J-FET |
√ | √ | 可控硅 / SCR |
√ | √ | 雙向可控硅 / TRIAC |
√ | √ | 達林頓列陣 / DRALINTON |
√ | √ | 光電耦合 / OPTO-COUPLER |
√ | √ | 穩壓、齊納二極管 / ZENER |
√ | √ | 三端穩壓器 / REGULATOR |
√ | √ | 雙向觸發二極管 / DIAC |
√ | 硅觸發可控硅 / STS | |
√ | 光電開關 / OPTO-SWITCH | |
√ | 光電邏輯 / OPTO-LOGIC | |
√ | 金屬氧化物壓變電阻 / MOV | |
√ | 固態過壓保護器 / SSOVP | |
√ | 壓變電阻 / VARISTOR | |
√ | 繼電器 / RELAY |
測試參數
漏電參數:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數:BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益參數:hFE、CTR、gFS
導通參數:VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數:Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation
關斷參數:VGSOFF
觸發參數:IGT、VGT
保持參數:IH、IH+、IH-
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企業詳細信息
普通會員
廠商性質
系統集成商
所在地
陜西省
聯系人
張芳
地址:西安市灃東新城中興深藍科技產業園
電話:15319792496
傳真:
網址:http://
主營產品:靜態參數,動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。 參數測試設備: 靜態參數;動態參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區)測試等);老化及可靠性 二
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