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IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優點，IGBT是電力電子設備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。

3、IGBT動態電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態參數的測試。

IGBT器件靜態參數測試儀器認準武漢生產廠家普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發的高精度臺式數字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，填補國產空白。主要應用于半導體器件的測試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構建自定義解決方案。為半導體封測廠家提供相關測試儀表、測試平臺，以及相關技術服務，滿足行業對測試效率、測試精度，以及低成本的挑戰。

那么IGBT器件靜態參數測試需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

E300高電壓源測單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。

設備可應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓”掃描測試。

HCPL100型高電流脈沖電源

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態、數字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業使用者，特別適合現代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脈沖源表

總之，IGBT模組靜態參數測試需要的儀器是一系列的，具體可以找生產廠家普賽斯儀表為您提供檢測方案哦！